快速恢復高壓二極管組件 (Fast Recovery High Voltage Diode Assemblies)
- 當有感性負載時，HTS 高電壓固態開關用的續流二極管
- 軟恢復特性
- 高峰值電流能力
- 非常低的電感
- 恢復時間短
MOSFET 開關和續流二極管(free-wheeling diodes)：通常，MOSFET 開關的固有二極管(intrinsic MOSFET switch diode) 的正向電壓，低於外部快速續流二極管的正向電壓。為了使反向電流安全地遠離固有二極管，有必要將所謂的“防逆二極管 (Blocking Diode) ”串聯到 MOSFET 開關。
因此，當 MOSFET 開關需要由快速續流二極管保護時，我們總是建議使用這個額外的防逆二極管。防逆二極管必須至少具有開關的峰值電流能力。釋抑電壓並不重要，只能高於本質二極管 (intrinsic diodes) 和續流二極管之間的正向電壓差。差異通常是大約 10 V，在極端情況下大約是數百伏（大型 MOSFET 集合和極高的峰值電流）。
足夠的防逆二極管可作為單件組件或作為 BEHLKE FDA 二極管的集成組件組件（集成防逆二極管，選項 IBD 和 IBD-C）提供。