可變導通時間開關 (VARIABLE ON-TIME)

可變導通時間、通用、MOSFET

經濟型，具有繼電器特性。可由 TTL 信號控制。轉換時間短，損耗超低。對過載和電壓反轉具有穩定性，並具出色 dv/dt 抗擾性小型輕量化設計。

可變導通時間，高 di/dt，低阻抗，MOSFET

具有繼電器特性的多功能高壓開關，TTL 信號可控制導通時間。極低阻抗，非常適合中低頻“硬”開關應用。開啟上升時間 5 ~ 15 ns，關閉上升時間 20 ~ 50 ns。在過載和電壓反轉方面穩健，對高壓瞬變具有出色的 dv/dt 抗擾度。

可變導通時間、低耦合電容、MOSFET

具有真正繼電器特性的多功能高壓開關，TTL 信號可控制導通時間。由於低耦合電容簡化了 EMC 並降低了電容損耗。LC2 技術可實現最高瞬態抗擾度，LC2 系列的大功率開關非常適合輸入電壓不穩定或負載不穩定的應用。

可變導通時間，低導通電阻，MOSFET

具有真正繼電器特性的多功能高壓開關，TTL 信號可控制導通時間。採用 Trench-FET 技術實現極低導通電阻。低動態開關損耗和低導通損耗，是工業電源應用的理想選擇。過載和電壓穩健，對高壓瞬變具有出色的 dv/dt 抗擾度。

可變導通時間，雙向/交流電壓，MOSFET

具有真正繼電器特性的多功能高壓開關，正負極性皆可， 非常適合振盪電路和一般 RF 應用。接通時間可由 TTL 信號控制，對過載和電壓反轉具有穩健性。LC2 技術可實現最高瞬態抗擾度。

可變導通時間，通用，IGBT

_{(FI系列已停產)}

具有真正繼電器特性的多功能高壓開關， TTL 信號可控制導通時間。低導通損耗，非常高的峰值電流能力 。電流上升時間 4ns ~ 150 ns（取決於電流）。

可變導通時間，Thyristor/MCT

具有真正繼電器特性，由 TTL 信號控制導通時間。低導通損耗，高浪湧電流能力，並有 200A 關斷能力。 對高壓瞬變具有出色的 dv/dt 抗擾度。

可變導通時間，推挽式，MOSFET

半橋配置中的高壓推挽開關，兩個開關路徑可實現快速上升和下降時間。由於無源開關路徑鎖定，操作很安全。無交叉電流，非常適合容性負載的精確高壓方波脈衝，無需工作電阻器，也無需大型高壓輸入儲能電容器。
注意：快速推挽式開關（半橋）對來自感性負載或增加的接線電感的反向電流非常敏感。 反向電流可能會以不確定的方式開啟MOSFET 二極管，進而導致災難性故障。

可變導通時間、雙向 (AC) 推挽式、MOSFET

在半橋配置中具有雙向開關路徑。AC MOSFET 拓撲允許負和正的輸入電壓，而不用改變開關極的極性 – 不再需要用極性反轉的複雜繼電器電路。

上升和下降時間相同，無源開關路徑鎖定帶來安全的操作。無交叉電流，非常適合將高壓方波脈衝精確輸入容性負載。無需工作電阻，也無需大型高壓輸入儲能電容器。